技术编号：11214280
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本公开的一个方面总体涉及电子器件，并且更具体地，涉及三维半导体器件及其制造方法。背景技术非易失性存储器件是即使在切断电源后也能保持所存储数据的存储器件。近来，随着在硅基板上方以单层形成存储单元的二维非易失性存储器件的集成度提高已经达到极限，已经提出了三维地布置存储单元的三维非易失性存储器件。三维(3-D)非易失性存储器件包括从基板伸出的竖直沟道层和沿着每个竖直沟道层堆叠的多个存储单元。发明内容实施方式提供了一种易于制造并且具有改进的负载特性的半导体器件及其制造方法。根据本公开的一个方面，提供了一...
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