技术编号：11214319
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种晶体管及其制备方法，尤其是一种铁电场效应晶体管及其制备方法。背景技术近年来，我国在航空航天领域的发展非常迅猛，如“神舟”系列飞船的成功发射和返回、“北斗”卫星导航系统的建设、“嫦娥”探月工程和“天宫”空间实验室的实施等，对存储器芯片长期使用的可靠性问题提出了更高的要求。然而，由于抗辐照加固技术在航空航天技术中属于高度敏感技术，世界上几乎所有航空航天大国的研究机构和大型微电子公司都在这个领域投入了大量的人力物力，开展半导体材料、器件、集成电路及存储器的辐照效应机理和加固技术研究，以抢...
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