技术编号：11214348
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及太阳能电池技术领域，特别涉及一种制作选择性掺杂结构的方法。背景技术太阳能电池是一种能将太阳能转化为电能的半导体器件。在常规晶体硅太阳能电池中，为了减少电极和硅片之间的接触电阻，一般要求将方块电阻控制在100Ω/sqr以下，但是，此时硅片表面的复合比较大，从而造成了对太阳能电池转换效率的限制。选择性发射极太阳能电池则能很好地解决这一问题。选择性发射极太阳能电池主要特点是金属化区域高掺杂浓度，光照区域低掺杂浓度，目的是在不降低金半接触质量的前提下提高表面钝化质量，减小表面复合和发射层的复合...
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