技术编号:11214987
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于器件建模技术领域,特别涉及一种用于MOSFET器件模型参数提取的方法和装置。背景技术衬偏效应(又称体效应)是MOSFET(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor金属氧化物半导体场效应晶体管)器件最重要的二阶效应之一,对于NMOS来说,体端加负偏压会导致阈值电压增加等现象的产生,在MOSFET器件模型参数提取中衬偏效应相关参数的提取极为重要。以PMOS为例,根据BSIM(Berkeleyshort-channelIGFETmodel伯克利...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。