技术编号:11220352
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件领域,特别涉及一种功率半导体器件的分类系统和分类方法。背景技术功率半导体器件,例如IGBT管、MOS管等等,是一种具有处理高电压,大电流能力的半导体器件,通常用于电能变换和电能控制电路。随着功率半导体器件的广泛应用,目前人们对各种器件的并联需求正在逐步提高。由于功率半导体器件单体之间存在性能参数差异,例如对于IGBT管来说,主要是IGBT和FWD芯片的导通压降,以及IGBT的开通阈值等存在较大差异时,会导致并联后的功率半导体器件均流效果较差,局部发热严重甚至损坏。因此,人们越...
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