技术编号：11222598
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。β-Ga2O3微米带的制备方法技术领域本发明属于纳/微材料制备技术领域，尤其是一种无需贵金属催化剂、重复性好、操作简单的β-Ga2O3微米带的制备方法。背景技术化学气相沉积法是近几十年发展起来的制备无机材料的新技术，已经广泛用于提纯物质、研制新晶体、沉积各种单晶、多晶或玻璃态无机材料。β-Ga2O3是一种直接宽禁带n型半导体材料，其禁带宽度在4.9eV左右，具有良好的化学稳定性和热稳定性，在紫外透明电极、日盲探测器、气体传感器和平板显示等多个领域都有着广泛的应用前景。目前，已有采用化学气相沉积法...
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