技术编号：11226744
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及磁流变减振领域，特别涉及一种针对磁流变减振器可记忆磁路结构的磁场双向调节方法。背景技术磁流变减振器是以磁流变液为阻尼液开发的一种新型智能减振器。磁流变减振器的阻尼间隙中充满磁流变液，磁流变减振器通过改变阻尼间隙磁场强度的大小改变磁流变液的流变状态，进而改变磁流变减振器的输出阻尼力。目前，针对磁流变减振器现有磁路结构所采用的磁场调节方法主要有以下两种：一种是针对仅依靠线圈励磁的磁路结构。由外部电源装置供电，通过改变励磁电流的大小来改变磁场的强弱，进而影响磁流变液的特性，实现对阻尼力的控制...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。