技术编号：11230365
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明系关于硅晶体的生长方法，尤其是关于单晶硅的生长方法。背景技术在柴氏拉晶法(Czochralskimethod)(以下有时称直拉法)的单晶硅生长过程中，由于石英坩埚的熔解，会使得部分氧进入单晶硅中，这些氧主要存在于硅晶格的间隙位置。当间隙氧的浓度超过氧在硅中的溶解度时即发生沉淀，从而形成单晶硅中常见的氧沉淀缺陷，进而对集成电路装置造成损害。内质吸除(intrinsicgettering)技术，即，藉由一定程序于硅片内形成高密度氧沉淀，而可在该硅片表面形成一定深度的无缺陷的洁净区，该洁净区则可...
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