技术编号：11233069
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。双脉冲软开关测试法区分GaNHEMT表面及缓冲层电流坍塌技术领域本发明属于半导体器件测试领域，尤其涉及GaN半导体器件测试领域本发明可以有效区分GaN半导体器件表面及缓冲层电流坍塌，为区分两种形式的电流坍塌提供了一种可靠方法。背景技术GaN材料具有禁带宽度大、击穿电场高等优势，基于AlGaN/GaN异质结的高电子迁移率晶体管(HEMT)在微波毫米波功率器件和大功率电力电子器件中有着重要的应用潜力。当前，可靠性问题是制约GaN器件大规模应用的主要因素，其中GaN器件特有的电流崩塌效应是尤为严峻的，...
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