技术编号:11233070
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体材料与器件技术领域,具体涉及一种氧化物半导体薄膜及由其制备的薄膜晶体管。背景技术新型平板显示(FPD,FlatPanelDisplay)产业的核心技术是薄膜晶体管(TFT,ThinFilmTransistor)背板技术。金属氧化物TFT(MO-TFT,MetalOxide-TFT)不仅具有较高的迁移率(在1~100cm2/(V·s)左右),而且制作工艺相对简单,可以和目前的a-Si工艺兼容,制造成本较低,还具有优异的大面积均匀性。因此,MO-TFT技术自诞生以来便备受业界瞩目。众...
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