技术编号：11233071
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体集成电路技术领域，具体涉及一种低压工艺中的高压NMOS晶体管。背景技术目前在电源管理芯片等产品中，为了节约面积，数字电路部分常常需要用到低压器件，而为了更好的耐压，模拟电路部分则需要用到高压器件。所以，在很多芯片上，需要同时集成高压器件和低压器件。为了应对这种趋势，目前传统的做法是在低压工艺的基础上，引入了高压工艺。高压工艺，需要在低压工艺的基础上，增加高压的P型注入层、N型注入层、高压的P阱、高压N阱等多层掩模板，这大大提高了芯片的成本，增加了芯片的制作流程，延长了芯片的产出时...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。