技术编号：11234225
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域，特别涉及一种冗余金属填充方法的方法及系统。背景技术随着半导体技术的不断发展，半导体工艺结点在不断变小，化学机械平坦化(ChemicalMechanicalPolishing，CMP)被用于全局化平坦，变得越来越重要。CMP工艺制造过程中，由于金属和氧化物等介质具有不同的材料特性，它们在CMP过程中材料去除速率并不相同，导致产生了蝶形缺陷(dishing)和侵蚀缺陷(erosion)。蝶形缺陷是空白区域的介质层和沟槽中金属的厚度差。侵蚀缺陷指在图形区域氧化物和金属被减薄，...
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请注意，此类技术没有源代码，用于学习研究技术思路。