技术编号:11235516
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开实施例涉及微影工艺,还包括间隔物的形成方法。背景技术半导体集成电路(IC)产业已快速成长一段时日。IC材料与设计的技术进步,使每一代IC均比前一代的IC具有更小更复杂的电路。然而这些进展会增加IC工艺的复杂性,但这些进展的优点明确,因此需要IC工艺中的类似发展。在集成电路的演化中,功能密度(比如单位晶片面积的内连线装置数目)越来越大,而几何尺寸(比如工艺所能产生的最小构件或线路)越来越小。虽然现有的IC装置与其形成方法可用于其发展目的,但仍无法适用于所有方面。发明内容本公开一实施例提供的方...
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