技术编号:11235620
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种电容结构,且特别是有关于一种可降低寄生电容的电容结构。背景技术于现今半导体产业中,电容为相当重要而基本的元件。其中,金属-氧化物-金属(Metal-Oxide-Metal,MOM)电容为一种常见的电容结构,其基本设计为在作为两电极的正金属极板与负金属极板之间充填绝缘介质,而使正金属极板与负金属极板以及其中之绝缘介质可形成一个电容单元。一般而言,在电容结构的设计中,可透过将电极之间的绝缘介质之厚度降低、或者增加电极表面积等方式来提高单位电容值。除此之外,若将带有寄生电容的电容结构...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。