技术编号：11235686
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种提高硅基GaNHEMT关态击穿电压的器件结构及实现方法技术领域本发明属于微电子技术领域，涉及GaN基电力电子器件制作背景技术近年来，宽禁带半导体GaN以其高电子迁移率、高击穿场强等优越的材料特性而受到广泛关注。除此之外，由于强自发极化效应，在常规的AlGaN/GaN异质结界面天然存在高浓度的二维电子气。因此理论上来讲，AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在高频、高压功率开关等领域有着极其广阔的应用前景。GaN器件的衬底材料一般为硅、碳化硅、蓝宝石三种，其中硅基AlGaN/GaNH...
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