技术编号:11236642
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。(关联申请的相互参照)本申请为2014年11月4日提出的日本专利申请特愿2014-224247的关联申请,本申请要求基于该日本专利申请的优先权,并援引该日本专利申请所记载的全部内容以作为构成本说明书的内容。在本说明书中,公开了一种涉及同时拥有IGBT和二极管的功能的半导体装置(RC-IGBTReverseConducting-InsulatedGateBipolarTransistor,逆导型绝缘栅双极晶体管)的技术。背景技术日本特开2013-48230号公报(以下称为专利文献1)中公开了一种R...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。