技术编号：11237268
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于从微电子装置移除包含含钛蚀刻后残余物、含钴蚀刻后残余物、含钨蚀刻后残余物及/或含铜蚀刻后残余物等蚀刻后残余物的组合物以及制作及使用所述组合物的方法。背景技术半导体电路中的互连电路由被绝缘电介质材料环绕的导电金属电路组成。在过去，广泛地使用从原硅酸四乙酯(TEOS)气相沉积的硅酸盐玻璃用作电介质材料，而使用铝合金用于金属互连件。对较高处理速度的需求已致使电路元件的大小变得较小且TEOS及铝合金被较高性能材料替换。由于铜的较高导电性，已用铜或铜合金替换铝合金。已用所谓的低k电介质替换T...
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