技术编号:11237269
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种硅晶圆的研磨方法。背景技术近年来,作为研磨硅晶圆的表面的方法,通常为一边供给在碱性水溶液中含有二氧化硅粒子等磨粒的研磨液,一边使硅晶圆与研磨布相对的旋转而进行的CMP(化学机械研磨)。CMP是结合基于磨粒的机械性研磨作用与基于碱性水溶液的化学性研磨作用的技术。已知通过使上述2个研磨作用结合,能够对硅晶圆的表面获得较高的平坦度。该硅晶圆的CMP处理,通常从双面研磨工序至单面研磨工序,经多个阶段进行研磨。双面研磨工序以将硅晶圆研磨至所期望的厚度为目的而进行。具体而言,使用聚氨酯等硬质的...
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