技术编号：11237272
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本公开内容涉及包括局部丝状沟道的电阻性存储器单元。还描述了包括所述电阻性存储器单元的器件和制造这样的电阻性存储器单元的方法。背景技术诸如电阻性随机存取存储器(ReRAM或RRAM)之类的电阻性存储器通常包括多个电阻性存储器单元。这样的单元可以采用两个端子器件的形式，其中，相对绝缘的切换层或介质位于两个导电电极之间。在一些实例中，器件包括一个晶体管(1T)或一个二极管(1D)连同一个电阻器(1R)，得到1T1R或1D1R构造。RRAM的电阻性存储器单元可以在两种不同的状态之间改变，这两种状态为可以...
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