技术编号：11244509
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。Nb5+掺杂的单斜相VO2金属-绝缘体相变陶瓷及其制备方法技术领域本发明涉及相变陶瓷材料技术领域，具体涉及一种Nb5+掺杂的单斜相VO2金属-绝缘体相变陶瓷及其制备方法。背景技术导体与非导体的能带结构不同,导体的电导主要决定于费米面附近的情况，如果通过改变外界条件能够影响到能带结构或费米能级,则就可以引起金属导体与绝缘体间的转变。二氧化钒(VO2)具有金属-绝缘体相变(MIT)特性，是一种智能热致变色材料。在68℃附近VO2由低温单斜半导体相转变为高温四方金属相，其光电及磁学性能随之发生了很大的...
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