技术编号：11244517
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于陶瓷材料领域，更具体地，涉及一种纳米氮化铝粉体及其制备方法和应用。背景技术氮化铝(AlN)在结构陶瓷和功能陶瓷领域都具有潜在的开发和应用价值。AlN的理论热导率可达到320W/m·K，且具有较小的热膨胀系数，是重要的陶瓷基板材料和散热填料。AlN在III族氮化物中具有禁带最宽的直接带隙(6.2Ev)，因而在深紫外(UV)光学器件和光致发光(PL)的基质材料方面有很大应用前景。AlN具有很小甚至负的电子亲和性，其在场发射(FE)器件上的应用也在逐渐增加。此外，取向生长的AlN薄膜是一种具...
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