技术编号：11249637
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体器件可靠性的表征和测试技术领域，具体涉及一种对高性能电子器件尤其是金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)器件在极短时间内(<10ns)的偏压温度不稳定性的表征技术。背景技术过去几十年中，随着CMOS集成电路技术的发展，电路中的最核心单元-金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的尺寸遵从摩尔定律逐步减小，从几微米(μm)缩短至14nm，晶体管器件密度和性能不断提高。衡量晶体管器件的可靠性的重要指标之一为半导体器件的偏压温度不稳定性(BTI)。偏压温度不稳定性包...
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