技术编号:11252396
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。半导体存储器装置相关申请的交叉引用本申请基于并要求2016年3月8日提交的美国临时申请No.62/305,469以及2016年9月14日提交的美国非临时申请No.15/265,741的优先权的权益,其全部内容通过引用并入本文。技术领域本文描述的实施例一般涉及半导体存储器装置。背景技术磁阻随机存取存储器(MRAM)是其中用于存储信息的存储器单元采用具有磁阻效应的元件的存储器装置。MRAM作为以高速操作、大存储容量和非易失性为特征的下一代存储器装置而受到关注。发明内容通常,根据一个实施例,半导体存储...
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