技术编号：11252584
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体光电子材料和器件制造领域，尤其是一种非极性Ⅲ族氮化物外延薄膜。背景技术AlN、GaN、InN及其三元四元化合物等III族氮化物均为直接带隙化合物半导体材料，它们具有宽禁带、高击穿电场和热导率、高电子迁移速率及耐化学腐蚀等特点，其室温带隙宽度从InN的0.7eV到GaN的3.4eV，直至AlN的6.2eV，以其制备的光电器件发光波长覆盖了从远红外到深紫外的波长范围。目前，Ⅲ族氮化物单晶及其合金主要是在C面蓝宝石等衬底上外延生长获得的极性材料。极性Ⅲ族氮化物材料应力分布均匀，生长模式...
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