技术编号：11252591
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种新型具有石墨烯掩埋散热层和源接地的GaNMMIC器件结构，属于H01L27/00类半导体器件技术领域。背景技术单片微波集成电路(MonolithicMicrowaveIntegratedCircuits，MMIC)是采用外延、注入、光刻、蒸发和溅射等半导体工艺方法在同一块半绝缘衬底上集成有源器件、无源器件、传输线和互连线等，构成的具有单一或多种功能的微波集成电路，其最适合的工作频率从高频段的分米波到毫米波和亚毫米波。它最早是由TexaInstrument公司T.M.Hyltin提出...
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