技术编号:11252592
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体器件技术领域,具体涉及一种GaN器件原位生长石墨烯掩埋电极结构及制备方法。背景技术作为第三代半导体的杰出代表,氮化镓(GaN)的室温禁带宽度为3.45eV,远大于Si和GaAs的禁带宽度,使得其电场击穿强度比之大了一个数量级,非常适合制作高耐压大功率器件。除了很大的禁带宽度这一优势外,GaN还具备很高的电子饱和速度及热导率,使它十分适合于微波/毫米波大功率应用的场合。GaN电力电子开关器件,AlGaN/GaN异质结高电子迁移率晶体管HEMT及GaNMMIC单片微波集成电路(Mon...
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