技术编号：11252595
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种借助于一系列处理步骤实施半导体晶片湿化学表面处理的方法，其中多种液体作用于半导体晶片表面。背景技术因对电子元件的制造中的日益小型化要求，对半导体材料、尤其通常以晶片形式使用的硅的表面品质的要求也更高，这种品质要求不仅是表面的几何形状品质，而且包括其纯度、化学条件及不含颗粒及斑点。为使这些参数可用重复的方式加以影响及控制，发展出湿化学表面处理方法，特别于研磨、精研或抛光等机械表面处理之后使用。湿化学表面处理方法是与除去表面材料有关，也称蚀刻方法。在半导体晶片蚀刻实际应用中有两种蚀刻方...
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