技术编号:11252600
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明实施例涉及半导体器件制造技术领域,尤其涉及一种VDMOS器件的制作方法。背景技术纵向双扩散场效应晶体管(VDMOS)作为目前常用的功率晶体管之一,反馈电容一直是影响其性能的主要因素。现有技术减小反馈电容的方法主要是从减小栅极和漏极之间的氧化物电容入手,例如整体增加栅氧化层的厚度或局部增加栅氧化层的厚度等。但是,在现有技术中不管是采用整体增加栅氧化层厚度的方式还是局部增加栅氧化层厚度的方式,其均不能很好地消除反馈电容对VDMOS的影响,并且制作工艺较复杂。发明内容本发明实施例提供一种VDMO...
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