技术编号：11252720
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种短路阳极SOILIGBT技术领域本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种短路阳极SOILIGBT(LateralInsulatedGateBipolarTransistor，横向绝缘栅双极型晶体管)。背景技术IGBT具有场效应晶体管高速开关及电压驱动的特性，同时具备双极晶体管低饱和电压的特性及易实现较大电流的能力。横向IGBT(LIGBT)易于集成在功率集成电路中，尤其是SOI基LIGBT可完全消除体硅LIGBT衬底空穴电子对注入，且采用介质隔离的SOI技术易实现器件的完全电气隔离，促使SOI...
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