技术编号:11252727
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体器件技术领域,具体涉及一种基于自对准工艺的GaNHEMT器件及其制造方法。背景技术GaN作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表之一,与传统的半导体材料Si、GaAs相比,具有禁带宽度宽、击穿电场大、电子饱和漂移速度高、介电常数小以及良好的化学稳定性等特点。特别是基于GaN材料的AlGaN/GaN异质结高电子迁移率晶体管(HEMT)结构具有更高的电子迁移率(高于1800cm2V-1s-1)和二维电子气(2DEG)面密度(约1013cm-2),使得基于GaN材料器件在射频领域和电力电子...
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