技术编号：11252734
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体功率器件技术领域，具体的说是涉及一种横向绝缘栅双极型晶体管。背景技术绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是一种MOS场效应和双极型晶体管复合的新型电力电子器件，它既有MOSFET易于驱动，控制简单的优点，又有功率晶体管导通压降低，通态电流大，损耗小的优点，已成为中高功率电力电子领域的主流功率开关器件，广泛应用在诸如通信、能源、交通、工业、医学、家用电器及航空航天等国民经济的各个领域。国际知名半导体公司，如ABB，Infineon(IR)，ST，Renesas，Mitsubishi，Fu...
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