技术编号:11252745
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于功率半导体技术领域,涉及一种屏蔽栅VDMOS器件。背景技术为了提高DMOS的性能,国内外提出了浮岛单极器件和屏蔽栅(Split-gate)等新型结构。浮岛单极器件通过在N-外延层中增加P型分压岛,从而漂移区的最大电场被分成两部分,在同样的外延层掺杂浓度下,击穿电压可以有所上升。而屏蔽栅VDMOS可利用其第一层多晶层(Shield)作为“体内场板”来降低漂移区的电场,所以屏蔽栅VDMOS通常具有更低的导通电阻和更高的击穿电压。非箝位感性负载下的开关过程(UnclampedInductiv...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。