技术编号:11252760
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明至少一个实施例涉及一种光电探测结构及其制作方法、光电探测器。背景技术金属-半导体-金属(Metal-Semiconductor-Metal,MSM)光电探测器具有响应速度快、电容小、工艺简单以及容易集成等优点而广泛应用于光纤通信领域中。为了提高MSM的肖特基势垒高度,减小暗电流,可以采用通过在半导体层与金属电极之间加一层薄的势垒增强层(半导体薄膜或绝缘介质薄膜)来增加势垒高度。发明内容本发明的至少一实施例提供一种光电探测结构及其制作方法、光电探测器。采用该光电探测结构可以降低电极条边缘处对...
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