技术编号:11252768
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及新能源领域,具体涉及一种异质结太阳能电池的制备方法及异质结太阳能电池。背景技术随着技术的快速发展,晶体硅太阳电池的转换效率逐年提高。当前,我国正在大力推广分布式太阳能光伏发电,由于屋顶资源有限,需求高转换效率的太阳电池组件。正是由于高效单晶异质结电池具有高效率、低能耗、工艺流程简单、温度系数小等诸多优点,未来几年内将得到大力发展,其效率的提升尤为重要。常规HIT异质结电池的PN结构为a-Si:H(p)(p型掺杂层)/a-Si(本征i)/c-Si(单晶硅)/a-Si(本征i)/a-Si:...
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