技术编号:11252780
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体技术领域,更具体地涉及一种非极性面量子点发光二极管及其制备方法。背景技术作为第三代宽禁带半导体技术的典型应用,商业化的GaN基LEDs产品已覆盖了紫外到绿光光谱。作为一种发光器件,GaN基LEDs可广泛应用在室内外照明、商业照明、农业照明、交通照明、医用照明和显示背光源等诸多方面。对这一光源的关注,使得近年来GaN基LEDs的制备技术水平获得了大幅提升,但其中的一些技术瓶颈也日益凸显,仍然需要解决以下两个方面的关键科学技术问题。一方面,随着In含量的增加(从紫外到绿光),高In含...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。