技术编号:11252781
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体结构,且尤其涉及一种具有空穴提供层的半导体结构。背景技术在一般的发光二极管芯片中,为了增加电子空穴结合的机率以及提高电子阻障,会在发光层与P型半导体层之间设置一高铝含量的氮化铝铟镓(AlxInyGa1-x-yN)的四元半导体层,且此半导体层中可能会添加有高浓度的镁或碳。然而,虽然高铝含量的氮化铝铟镓可有效提高电子阻障的效果,但伴随而来的是驱动电压高的问题。发明内容本发明提供一种半导体结构,其具有空穴提供层,通过调整空穴提供层中的铝含量,来提高电子阻障效能,并可以避免驱动电压升...
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