技术编号：11262797
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及光电二极管技术领域，特别是涉及一种光电二极管封装装置。背景技术光电二极管(包括PhotoDiode和AvalanchePhotoDiode)是将光信号转变成电信号的半导体器件。它的核心部分也是一个PN结，和普通二极管相比，在结构上不同的是，为了便于接收入射光照，PN结的面积尽量做的大一些，电极面积尽量小些，而且PN结的结深很浅，一般小于1微米。另外，光电二极管的材料一般采用硅(Si)、锗(Ge)、铟镓砷(InGaAs)等半导体材料，具有成本低、体积小、重量轻、寿命长、量子效率高、频率特...
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