技术编号:11276071
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于氮化铝陶瓷制备技术领域,涉及一种高热导率氮化铝陶瓷的制备方法。背景技术氮化铝陶瓷具有优异的导热性能,电绝缘性能与耐高温性能,同时也具有较低的介电常数,与硅匹配的线膨胀系数及无毒等特性,从而使其成为目前最理想的基本材料与电子器件封装材料。高热导率是氮化铝陶瓷工业应用的优势所在。要想实现高热导率陶瓷的制备,必须要满足两个条件:一是氮化铝陶瓷要具有较高的致密度;二是氮化铝陶瓷晶格中的固溶氧含量要尽可能的低。在实际生产中,一般是通过引入稀土化合物(氧化钇、氧化钐、氧化镝、氟化钇、氟化钐等)或碱...
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