技术编号:11276073
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种氮化铝陶瓷基板及其制备方法,属于材料领域。背景技术氮化铝(AlN)陶瓷具有优良的导热性能,优异的物理化学稳定性,且无毒、绝缘,热膨胀系数与硅(Si)相近,是高密度电子封装的理想基板材料,特别是在高功率高能量密度LED照明领域有着巨大的应用前景。国内外很多研究单位和公司都在开发或已开发出高导热AlN基板,工业生产中的AlN产品热导率(理论值320W/(m·K))一般在200W/(m·K)以下。目前,AlN陶瓷的成型方法有有机流延成型、干压成型和热压成型等,干压成型与热压成型适于制备厚...
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