技术编号:11278134
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体装置,特别是涉及半导体装置的接合结构及其制造方法。背景技术半导体装置包含由Ⅲ-Ⅴ族元素组成的化合物半导体,例如磷化镓(GaP)、砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN),半导体装置可以为发光二极管(LED)、功率装置或太阳能电池。其中,LED的结构包含一p型半导体层、一n型半导体层与一活性层,活性层设于p型半导体层与n型半导体层之间,使得在一外加电场作用下,n型半导体层及p型半导体层所分别提供的电子及空穴在该活性层复合,以将电能转换成光能。为了提高LED的电性效能与散热效率,以芯...
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