技术编号:11282572
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明根据权利要求1涉及用于将至少一个固体部分与固体分开的方法,根据权利要求7涉及用于制造多层装置的方法,根据权利要求10涉及不平坦的晶片和根据权利要求11涉及多层装置。背景技术晶片通常是与固体分开的固体部件。所述晶片基本上二维地延伸,即其厚度相对于其宽度和长度小至少一个量级。晶片优选使用在用于制造太阳能电池、计算机芯片、LED等的半导体技术中。晶片的产生是成本非常高的,由此尝试从固体中得到尽可能多的晶片。这造成晶片变得更薄,这又造成:当覆层的和晶片的热膨胀系数不同时,晶片在覆层之后变形。这种变...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。