技术编号:11287259
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。半导体装置的制造方法本申请基于2015年2月16日提出的日本专利申请第2015-27738号及2015年12月11日提出的日本专利申请第2015-242400号,在此引用其记载内容。技术领域本公开涉及以在第1基板与第2基板之间构成气密室的方式接合第1基板和第2基板而成的半导体装置的制造方法。背景技术以往,作为在第1基板与第2基板之间构成有气密室的半导体装置,提出了以下的半导体装置(例如参照专利文献1)。也就是说,在该半导体装置中,在第1基板中形成有检测角速度的传感检测部。此外,第2基板在与第1基...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。