技术编号：11289466
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。用金属栅和逻辑器件形成自对准分裂栅存储单元阵列的方法相关申请本申请要求2015年1月23日提交的美国临时申请62/107,077的权益。技术领域本发明涉及非易失性存储单元阵列。背景技术本领域众所周知的是将分裂栅存储单元形成为此类单元的阵列。例如，美国专利7,868,375(出于所有目的以引用方式并入本文)公开了存储单元的阵列，其中每个存储单元包括浮动栅、控制栅或耦合栅、选择栅、擦除栅，它们全部形成在具有限定在源极区和漏极区之间的沟道区的衬底上。为了有效利用空间，存储单元成对地形成，其中每对共享共...
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