技术编号:11289468
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。高密度分裂栅存储器单元相关专利申请本申请要求2015年1月22日提交的美国临时申请62/106,477的权益。技术领域本发明涉及非易失性存储器单元阵列。背景技术本领域中众所周知的是将分裂栅存储器单元形成为此类单元的阵列,其中存储器单元成对地形成,其中每对存储器单元共享公共擦除栅和公共源极区。例如,美国专利7,868,375(该专利出于所有目的以引用方式并入本文)公开了此类存储器阵列。图1示出了一对常规的分裂栅存储器单元1。每个存储器单元1包括源极区(源极线)2和漏极区(位线)3,其中沟道区4在源...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。