技术编号:11289532
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。等离子体处理装置、等离子体处理方法和制造电子器件的方法本申请是于2015年8月27日提交的、中国申请号为201510535288.7、发明名称为“等离子体处理装置、等离子体处理方法和制造电子器件的方法”的发明专利申请的分案申请。技术领域本发明涉及一种等离子体处理装置、等离子体处理方法和制造电子器件的方法,其中向衬底发射热等离子体来对衬底执行热等离子体处理,或其中通过发射使用反应气体的等离子体或同时发射等离子体和反应气体流来对衬底执行低温等离子体处理。背景技术在现有技术中,诸如多晶硅(poly-S...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。