技术编号:11289535
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。具有熔融温度大于260摄氏度并包括银和锡组成的金属间化合物或铜和锡组成的金属间化合物的金属间化合物层的半导体封装件及相应制造方法技术领域本文件的各方面整体涉及半导体装置安装。更具体的实施方式涉及通过将金属或金属焊料进行回流焊来安装半导体装置。背景技术半导体装置的制造通常包括将一个或多个管芯和/或其它物体安装到印刷电路板(PCB)(母板)(板材)或其它衬底上。此耦接过程可通过将金属或金属焊料进行回流焊来实现,金属或金属焊料凝固后,在管芯(或其它元件)和板材或衬底之间形成粘结部。管芯和其它元件也可通...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。