技术编号:11289554
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体技术领域,特别是涉及一种半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法。背景技术第三代半导体材料由于能量禁带一般大于3.0电子伏,又被称为宽禁带半导体。相比于传统的硅基和砷化镓基半导体材料,宽禁带半导体(例如碳化硅、氮化镓、氮化铝及氮化铟等)由于具有特有的禁带范围、优良的光、电学性质和优异的材料性能,能够满足大功率、高温高频和高速半导体器件的工作要求,在汽车及航空工业、医疗、通讯、军事、普通照明及特殊条件下工作的半导体器件等方面具有十分广泛的应用前景。氮化镓作为典型的第三代半导体材料,具...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。