技术编号:11289575
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种沟槽形成方法【技术领域】本发明涉及半导体芯片制造工艺技术领域,具体为功率器件制造工艺流程领域;特别地,涉及一种沟槽形成方法。【背景技术】垂直双扩散场效应晶体管(VDMOS)的漏源两极分别在器件的两侧,使电流在器件内部垂直流通,增加了电流密度,改善了额定电流,单位面积的导通电阻也较小,是一种用途非常广泛的功率器件。目前,垂直双扩散场效应晶体管的发展方向是:(1)降低正向导通电阻以减小静态功率损耗;(2)提高开关速度以减小瞬态功率损耗。其中,减小静态功率损耗主要通过降低器件总导通电阻来实现。器件...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。