技术编号:11289580
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。电路器件和基于鳍状物的电路器件的制造和结构。背景技术衬底上的电路器件(例如,半导体(例如,硅)衬底上的集成电路(IC)晶体管、电阻器、电容器等)的提升的性能和产量通常是在那些器件的设计、制造和操作期间考虑的主要因素。例如,在金属氧化物半导体(MOS)晶体管器件(例如在互补金属氧化物半导体(CMOS)中使用的器件)的设计和制造或形成期间,常常期望增加N型MOS器件(n-MOS)沟道中的电子的移动以及增加P型MOS器件(p-MOS)沟道中的正电荷空穴的移动。在一些情形下,为了增加这种移动,将与III...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。