技术编号：11289591
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及磁存储器、到该磁存储器的数据写入方法和半导体装置。背景技术对磁存储器已经实施广泛研究和开发活动，磁存储器被预期作为具有高速操作、大容量和降低功耗的非易失性存储器。近年来最广泛研究的一种磁存储器为STT-MRAM(自旋转移力矩磁阻随机存取存储器)。STT-MRAM为通过使用自旋转移力矩来实现将数据写入存储单元的磁存储器，对减小的存储单元大小，享有降低写入电流的优点。预期该优点在同时实现大存储容量和降低功耗方面是有利的。不幸的是，事实上，在满足该预期和实现磁存储器的商业化方面仍然存在相当大...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。